Descripción
INFORMACIÓN
El IRF530 es un transistor MOSFET de potencia por sus siglas en inglés “Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor”, tiene un canal tipo N, 3 pines y un encapsulado TO-220, con capacidad de manejar energía de 100V y 14A.
El IRF530 es ampliamente utilizado para el control o amplificación de potencia, como interruptor electrónico en circuitos de conmutación de potencia, como controlador de velocidad de motores DC y motores a pasos, como regulador de tensión y más.
ESPECIFICACIONES Y CARACTERÍSTICAS
- Tipo: Transistor MOSFET
- Matrícula: IRF530
- Encapsulado: TO-220
- Pines: 3 pines
- Estilo de montaje: Through Hole
- Voltaje:
- Umbral VGS(th): 2.9V
- Máximo Drenaje a Fuente VDSS: 100V
- Fuente Máxima VGS: ±20VDC
- Corriente Máxima de Drenaje ID: 14A
- Resistencia de Encendido RDS(on):0.098 Ω
- Capacidad de conmutación:
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- Turn-On Delay Time: 9ns
- Turn-Off Delay Time: 33ns
- Capacidad de disipación de Potencia PD: 78W
- Temperatura de Operación TJ: -55° a 150°C
- Dimensiones: 10.2 mm x 15.80 mm x 4.30 mm
- Peso de la unidad: 2g
