Descripción
El IRF740 es un MOSFET de potencia de canal N de 400 V, el MOSFET de potencia son la tercera generación proporciona al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto y baja resistencia.
Son la mejor combinación de cambio rápido, resistente, bajo en resistencias y rentabilidad. La baja resistencia térmica y el bajo costo contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria
ESPECIFICACIONES TÉCNICAS
- Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W
- Tensión drenaje-fuente (Vds): 400 V
- Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
- Corriente continua de drenaje (Id): 10 A
- Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
- Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
- Carga de compuerta (Qg): 63 nC
- Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1450 pF
- Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.55 Ohm
- Empaquetado / Estuche: TO220
- 3 pines
- Peso: 2 g
