Descripción
IRF640N es un transistor MOSFET, es de un 1 canal tipo N. Es utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.
Se pueden operar directamente desde circuitos integrados. Todos estos MOSFET de potencia están diseñados para diferentes tipos de aplicaciones como reguladores de conmutación, convertidores, controladores de motor, controladores de relé.
ESPECIFICACIONES Y CARACTERÍSTICAS
- Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W
- Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V
- Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
- Corriente continua de drenaje (Id): 18 A
- Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
- Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
- Carga de compuerta (Qg): 50 nC
- Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2100 pF
- Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.18 Ohm
- Encapsulado: TO-220
- 3 pines
