Descripción
El receptor infrarrojo tipo fototransistor es un sensor óptico sensible a la luz infrarroja, cuya estructura se asemeja a la de un transistor NPN convencional, pero con una ventana o lente que permite el paso de la luz hacia la unión semiconductora. Este tipo de componente convierte la energía lumínica en corriente eléctrica y es comúnmente utilizado en sistemas de detección, barreras ópticas, controles remotos y aplicaciones de automatización.
Especificaciones:
- Tipo: Fototransistor
- Polaridad: NPN
- Voltaje colector-base (VCBO): 80 V
- Voltaje colector-emisor (VCEO): 70 V
- Voltaje emisor-base (VEBO): 5 V
- Corriente máxima de colector (IC): 50 mA
- Ángulo de sensibilidad media: ±10°
- Temperatura de operación: -40 °C a 125 °C
Características:
- Encapsulado: TO-18
- Número de patas: 3
- Diseño compacto con lente para mejor enfoque de luz infrarroja
