Descripción
Transistor mosfet IRF3710 Tipo TO-220 de 100V es un solo canal N que utiliza técnicas avanzadas de procesamiento para lograr resistencia extremadamente baja por unidad, este beneficio, en combinación con la velocidad de conmutación rápido y el diseño del dispositivo robusto que HEXFET MOSFET de potencia son bien conocidos por ofrecer al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para uso en una amplia variedad de aplicaciones.
ESPECIFICACIONES Y CARACTERÍSTICAS
- Corriente: 57A
- Voltaje: 100V
- Temperatura de operación y de almacenamiento: -55°C a 175°C
- Encapsulado: TO220AB
- Polaridad: Canal N
- Intensidad drenador continua Id: 57 A
- Tensión drenaje-fuente Vds: 100 V
- Resistencia de activación Rds(on): 0.023 ohm
- Tensión Vgs de medición Rds(on) : 10 V
- Tensión umbral Vgs: 4 V
- Disipación de potencia Pd: 200 W
- Temperatura de Trabajo Máx. 175°C
- Temperatura de Trabajo Mín. -55 °C
- Encapsulado: TO-220
- 3 pines
