Descripción
El sensor ITR8102 está compuesto por un diodo emisor de infrarrojos (IR) y un fototransistor NPN de silicio dispuestos lado a lado en un eje óptico convergente dentro de una carcasa negra. En condiciones normales, el fototransistor recibe radiación del LED IR; cuando un objeto interrumpe este haz, el fototransistor deja de recibir la señal, permitiendo detectar la presencia de dicho objeto. Ideal para aplicaciones de detección de obstáculos o sensores de ranura.
Especificaciones:
- Entrada:
- Disipación de potencia: 75 mW
- Voltaje inverso: 5 V
- Corriente directa máxima: 50 mA
- Salida:
- Disipación del colector: 75 mW
- Corriente del colector: 30 mA
- Voltaje colector-emisor: 30 V
- Voltaje emisor-colector: 5 V
- Rango de temperatura de operación: -25 °C a +85 °C
- Temperatura de almacenamiento: -40 °C a +85 °C
- Temperatura de soldadura: 260 °C a 3 mm del cuerpo
Características:
- Alta velocidad de respuesta para detección rápida
- Carcasa termoplástica negra que reduce interferencias lumínicas externas
- Compatible con normativas RoHS y REACH de la UE
