Descripción
El Transistor BJT de uso general disponible con encapsulado de plástico TO-220. Son de tipo bipolar de propósito general son de muy alto desempeño, algunas de sus aplicaciones más comunes son: audio, procesamiento de señal, administración de potencia, dispositivos portátiles, electrónica de consumo y conmutación rápida.
ESPECIFICACIONES Y CARACTERÍSTICAS
- Tipo de Transistor: NPN
- Encapsulado: TO-220-3
- Número de Pines: 3
- Dimensiones: 28.9 mm x 10 mm x 4.4 mm
- Peso: 2g
- Corriente de colector de CC: 6 A (máxima)
- Corriente de la base: 2 A
- Voltaje de colector-Emisor (VCEO): 100 V
- Voltaje de emisor-Base(VEBO ): + 5 V
- Voltaje de colector-Base (VCBO ): 100 V
- Voltaje de saturación del colector-emisor: 1.5 V
- Disipación de la potencia: 65 W
- Ganancia de corriente continua (hFE) : 15hFE
- Frecuencia mínima de Funcionamiento: 3 MHz
