Descripción
Es un mosfet de canal único N de 100v en un encapsulado TO-220 es un mosfet tiene una baja por el área de silicio, los MOSFET de potencia son muy conocidos por proporcionar una gran eficiencia y fiabilidad que se pueden utilizar en una gran variedad de aplicaciones.
ESPECIFICACIONES
- Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W
- Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V
- Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
- Corriente continua de drenaje (Id): 30 A
- Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
- Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
- Carga de compuerta (Qg): 72 nC
- Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2100 pF
- Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.077 Ohm
- Encapsulado: TO-220
- 3 pines
- Peso: 2 g
