Descripción
El IRF840 es un MOSFET de potencia de N-canal de 500V, el MOSFET de potencia de tercera generación proporciona al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto y baja resistencia. Se pueden operar directamente desde circuitos integrados.
ESPECIFICACIONES
- Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W
- Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V
- Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
- Corriente continua de drenaje (Id): 8 A
- Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
- Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
- Carga de compuerta (Qg): 63 nC
- Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1500 pF
- Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.85 Ohm
- Empaquetado / Estuche: TO220
- 3 pines
- Peso: 2 g
